重庆中科渝芯电子有限公司
企业简介

重庆中科渝芯电子有限公司 main business:集成电路芯片的设计与制造、加工、销售和技术服务;集成电路产品测试、封装及环境实验及技术服务;电子产品(不含电子出版物)的设计、制造、销售;货物进出口(国家法律、法规禁止经营的不得经营;国家法律、法规限制经营的取得许可后经营)。(以上范围法律法规禁止经营的不得经营,法律法规规定应经审批而未获审批前不得经营)* and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.

welcome new and old customers to visit our company guidance, my company specific address is: 沙坪坝区西园二路98号.

If you are interested in our products or have any questions, you can give us a message, or contact us directly, we will receive your information, will be the first time in a timely manner contact with you.

重庆中科渝芯电子有限公司的工商信息
  • 500106000066980
  • 91500106552037653T
  • 存续(在营、开业、在册)
  • 有限责任公司
  • 2010-03-29
  • 何刚
  • 3015万元人民币
  • 2010-03-29 至 永久
  • 重庆市工商行政管理局沙坪坝区分局
  • 2015-11-18
  • 重庆市沙坪坝区西园二路98号
  • 集成电路芯片的设计与制造、加工、销售和技术服务;集成电路产品测试、封装及环境实验及技术服务;电子产品(不含电子出版物)的设计、制造、销售;货物进出口(国家法律、法规禁止经营的不得经营;国家法律、法规限制经营的取得许可后经营)。(以上范围法律法规禁止经营的不得经营,法律法规规定应经审批而未获审批前不得经营)*
重庆中科渝芯电子有限公司的域名
类型 名称 网址
网站 重庆中科渝芯电子有限公司 http://www.csec.corp/www/
重庆中科渝芯电子有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN106057902A 一种高性能MOSFET及其制造方法 2016.10.26 本发明公开了一种高性能MOSFET及其制造方法,所述元胞采用方形元胞,其特征在于:包括N型衬底、N型
2 CN106252415A 一种高性能MOSFET及其制造方法 2016.12.21 本发明公开了一种高性能MOSFET及其制造方法,所述元胞采用方形元胞,其特征在于:包括P型衬底、P型
3 CN104518006B 一种耗尽型沟道超势垒整流器及其制造方法 2017.03.15 本发明的目的在于提供一种耗尽型沟道超势垒整流器及其制造方法,所述超势垒整流器采用耗尽型沟道形成超势垒
4 CN106430080A 一种MEMS宽槽低台阶结构的制作方法 2017.02.22 本发明公开了一种MEMS宽槽低台阶结构的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:1)在硅片上进行光刻、刻
5 CN105703756A 一种基于光伏应用的NEXFET旁路开关 2016.06.22 本发明公开了一种基于光伏应用的NEXFET旁路开关,由N沟道的具有超低导通压降的NEXFET、驱动控
6 CN105702747A 一种基于光伏应用的VDMOS旁路开关 2016.06.22 本发明公开了一种基于光伏应用的VDMOS旁路开关,由N沟道的具有超低导通压降的VDMOS、驱动控制模
7 CN105428320A 一种SiGe BiCMOS工艺中保护HBT有源区的方法 2016.03.23 本发明提出了一种SiGe BiCMOS工艺中保护HBT有源区的方法,针对SiGe BiCMOS工艺中
8 CN104518006A 一种耗尽型沟道超势垒整流器及其制造方法 2015.04.15 本发明的目的在于提供一种耗尽型沟道超势垒整流器及其制造方法,所述超势垒整流器采用耗尽型沟道形成超势垒
新闻中心
该公司还没有发布任何新闻
行业动态
该公司还没有发表行业动态
企业资质
该公司还没有上传企业资质
Map(The red dot in the figure below is 重庆中科渝芯电子有限公司 at the specific location, the map can drag, double zoom)
Tips: This site is 重庆中科渝芯电子有限公司 at mass public network free website, if you are the person in charge of the unit, please click here application personalized two after landing and update your business domain data, you can delete all of your unit page ads, all operations free of charge.
猜你喜欢