重庆中科渝芯电子有限公司 main business:集成电路芯片的设计与制造、加工、销售和技术服务;集成电路产品测试、封装及环境实验及技术服务;电子产品(不含电子出版物)的设计、制造、销售;货物进出口(国家法律、法规禁止经营的不得经营;国家法律、法规限制经营的取得许可后经营)。(以上范围法律法规禁止经营的不得经营,法律法规规定应经审批而未获审批前不得经营)* and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 91500106552037653T
- 存续(在营、开业、在册)
- 有限责任公司
- 2010-03-29
- 何刚
- 3015万元人民币
- 2010-03-29 至 永久
- 重庆市工商行政管理局沙坪坝区分局
- 2015-11-18
- 重庆市沙坪坝区西园二路98号
- 集成电路芯片的设计与制造、加工、销售和技术服务;集成电路产品测试、封装及环境实验及技术服务;电子产品(不含电子出版物)的设计、制造、销售;货物进出口(国家法律、法规禁止经营的不得经营;国家法律、法规限制经营的取得许可后经营)。(以上范围法律法规禁止经营的不得经营,法律法规规定应经审批而未获审批前不得经营)*
类型 | 名称 | 网址 |
网站 | 重庆中科渝芯电子有限公司 | http://www.csec.corp/www/ |
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN106057902A | 一种高性能MOSFET及其制造方法 | 2016.10.26 | 本发明公开了一种高性能MOSFET及其制造方法,所述元胞采用方形元胞,其特征在于:包括N型衬底、N型 |
2 | CN106252415A | 一种高性能MOSFET及其制造方法 | 2016.12.21 | 本发明公开了一种高性能MOSFET及其制造方法,所述元胞采用方形元胞,其特征在于:包括P型衬底、P型 |
3 | CN104518006B | 一种耗尽型沟道超势垒整流器及其制造方法 | 2017.03.15 | 本发明的目的在于提供一种耗尽型沟道超势垒整流器及其制造方法,所述超势垒整流器采用耗尽型沟道形成超势垒 |
4 | CN106430080A | 一种MEMS宽槽低台阶结构的制作方法 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种MEMS宽槽低台阶结构的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:1)在硅片上进行光刻、刻 |
5 | CN105703756A | 一种基于光伏应用的NEXFET旁路开关 | 2016.06.22 | 本发明公开了一种基于光伏应用的NEXFET旁路开关,由N沟道的具有超低导通压降的NEXFET、驱动控 |
6 | CN105702747A | 一种基于光伏应用的VDMOS旁路开关 | 2016.06.22 | 本发明公开了一种基于光伏应用的VDMOS旁路开关,由N沟道的具有超低导通压降的VDMOS、驱动控制模 |
7 | CN105428320A | 一种SiGe BiCMOS工艺中保护HBT有源区的方法 | 2016.03.23 | 本发明提出了一种SiGe BiCMOS工艺中保护HBT有源区的方法,针对SiGe BiCMOS工艺中 |
8 | CN104518006A | 一种耗尽型沟道超势垒整流器及其制造方法 | 2015.04.15 | 本发明的目的在于提供一种耗尽型沟道超势垒整流器及其制造方法,所述超势垒整流器采用耗尽型沟道形成超势垒 |
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